標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容：規(guī)定了電力系統(tǒng)用壓接型IGBT的型號、尺寸、額定值、特性參數(shù)、檢驗(yàn)、環(huán)境適應(yīng)性要求、出廠及倉儲要求。

起草單位：全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司、中電普瑞電力工程有限公司、南京南瑞繼保電氣有限公司、中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院、南方電網(wǎng)科學(xué)研究院有限責(zé)任公司、許繼電氣股份有限公司、株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司、西安中車永電電氣有限公司、電子科技大學(xué)、北京工業(yè)大學(xué)。

標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容：規(guī)定了新能源汽車用IGBT模塊（含純電動、混合動力和燃料電池等汽車）的型號、尺寸、額定值、器件特性、檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)志和訂貨的技術(shù)要求。

起草單位：嘉興斯達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司、株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司、中國第一汽車股份有限公司、中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院、西安中車永電電氣有限公司、西安衛(wèi)光科技有限公司、江蘇宏微科技股份有限公司、中國科學(xué)院微電子研究所、電子科技大學(xué)、江蘇中科君芯科技有限公司、深圳比亞迪微電子有限公司。

標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了IGBT和FRD用中子嬗變摻雜區(qū)熔硅單晶（以下簡稱NTD硅單晶）的術(shù)語和定義、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則以及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存和質(zhì)量證明書等。

起草單位：天津中環(huán)領(lǐng)先材料技術(shù)有限公司、天津市環(huán)歐半導(dǎo)體材料技術(shù)有限公司、天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司、株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司、中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院中國科學(xué)院微電子研究所、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司、西安衛(wèi)光科技有限公司、江蘇中科君芯科技有限公司、電子科技大學(xué)、上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造股份有限公司、上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司、吉林華微電子股份有限公司。

標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）用焊片的化學(xué)成分、外形尺寸、表面質(zhì)量、含氧量、氧化膜厚度、收縮率、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則以及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和貯存等要求。

起草單位：廣州漢源新材料股份有限公司、株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司、中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院、江蘇宏微科技股份有限公司、中車永電電氣有限公司、嘉興斯達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司、西安衛(wèi)光科技有限公司。

標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了壓接式絕緣柵雙極晶體管（IGBT）平板陶瓷管殼的分類、材料、外觀、尺寸、鍍層質(zhì)量、性能、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則以及標(biāo)識、包裝、運(yùn)輸、貯存等要求。

起草單位：江陰市賽英電子股份有限公司、株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司、中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院、無錫天楊電子有限公司、 全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院、中車永電電氣有限公司、電子科技大學(xué)、南方電網(wǎng)科學(xué)研究院有限責(zé)任公司、嘉興斯達(dá)半導(dǎo)體有限公司、江蘇宏微科技股份有限公司、江蘇中科君芯科技有限公司、中南大學(xué)。

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