宏微科技推出1700V IGBT產(chǎn)品,廣泛應用于高壓變頻、SVG、儲能等領(lǐng)域
針對以上兩種應用,宏微科技推出75A-450A不同電流等級的半橋模塊和75A-150A的H橋一體化模塊。通過每相采用單個或兩個及以上半橋模塊并聯(lián),基本可以覆蓋3kV-10kV高壓變頻器的中小功率范圍和一部分大功率范圍、3kV-35kV級聯(lián)儲能系統(tǒng)的中等容量范圍、3kV-35kV SVG的中等容量范圍。同時針對小功率段的高壓變頻器,使用H橋一體化模塊,可以減少模塊使用數(shù)量,大幅削減鏈節(jié)體積,降低結(jié)構(gòu)成本。
基于GWB封裝平臺 功率密度高 低熱阻設計 低寄生電感 通過HV-H3TRB、防硫等可靠性試驗
1、常高溫下FRD壓降更低,熱阻更小;IGBT壓降與競品接近,但熱阻更小,從而使得整體發(fā)熱更小。
2、常高溫下,相同速度開關(guān)損耗更小,尖峰更低,寄生電感更小。
3、150℃,VGE=15V,Vcc=1000V條件下短路能力≥10us。
4、通過HV-H3TRB和硫化等高可靠性試驗
以MMG100W170HX6TC一體化模塊為例
基于GW封裝平臺 集成度高 功率密度高 內(nèi)置NTC電阻 通過HV-H3TRB、防硫等可靠性試驗
以往高壓變頻器應用為了搭建H橋拓撲,需要用2個“半橋的IGBT模塊”和1個“整流二極管模塊”來進行組合構(gòu)建,總計使用3個功率模塊。
使用宏微MMG100W170HX6TC一體化模塊,只用1個模塊即可完成3個模塊的工作,同時還內(nèi)置了NTC熱敏電阻,以輔助我們在實際工作中進行溫度監(jiān)控。
與原先方案對比,可實現(xiàn)的功能只多不少,而且1個一體化 IGBT模塊構(gòu)成高壓變頻器的1個單元,使系統(tǒng)級聯(lián)設計變得更容易。
如果運行條件完全相同,使用一體化新產(chǎn)品可以大幅削減鏈節(jié)體積,從而縮小整機體積,降低結(jié)構(gòu)成本,優(yōu)化電氣特性。
宏微科技此次推出的1700V一系列產(chǎn)品,不僅在芯片性能上進行了改進,還在封裝形式上進行創(chuàng)新,有效地降低了功耗,提升了效率;還具有更出色的可靠性能力,HV-H3TRB、防硫化等使其在實際應用中表現(xiàn)更加優(yōu)秀。
我們相信,1700V這一系列的IGBT模塊將為工控、變頻、電能改善等領(lǐng)域的應用帶來更高的性能和可靠性,同時也將為行業(yè)發(fā)展帶來更多的創(chuàng)新和進步。